測量小電容試品tanδ時(shí)相當(dāng)于測試電容兩極間介質(zhì)損耗因數(shù)。當(dāng)正接線時(shí)，測得的值是真正極間的電容值及tanδ；而當(dāng)一級(jí)接地時(shí)，用反接法，由于加壓高壓級(jí)對(duì)周圍接地間的雜散電容不可忽視，電容值及tanδ均增大。同時(shí)正接法抗電場干擾情況較好，測量誤差小，準(zhǔn)確性高，所以測量小電容試品tanδ時(shí)應(yīng)盡量采用正接法。
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