在常溫下受熱激勵所產(chǎn)生的自由電子和空穴的數(shù)量很少，為提高半導體的導電能力，通常在半導體中摻入微量的有用雜質(zhì)，制成摻雜半導體。摻雜半導體有N型有p型。
N型半導體自由電子數(shù)遠多于空穴數(shù)，這些自由電子是多數(shù)載流子，而空穴是少數(shù)載流子，導電能力主要靠自由電子，稱為電子型半導體,簡稱N型半導體。P型半導體空穴數(shù)遠多于自由電子數(shù),這些空穴是多數(shù)載流子,而自由電子是少數(shù)載流子,導電能力主要靠空穴,稱為空穴型半導體,簡稱P型半導體.
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